lunes, 5 de diciembre de 2011

Bibliografia

http://es.wikipedia.org
http://www.uma.es/investigadores/grupos/electronica_potencia/index.php?option=com_content&view=article&catid=14%3Abloque-1-semiconductores&id=32%3A63-caracteristicas-de-disparo-de-un-gto&Itemid=67
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://es.wikipedia.org/wiki/Diac

IGBT




INTRODUCCION:

Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguiente documento


QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El símbolo más comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones


SIMBOLOGIA:


Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.
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Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.
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CURVA CARACTERISTICA IGBT:
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COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la señal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW. 


CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:


• IDmax Limitada por efecto Latch-up.
• VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre
4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante
unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde
puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en
paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.


Caracteristicas


El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta

GTO

GTO (Gate Turn-off Thyristor)
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Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH.
se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los años setenta. son comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
CARACTERÍSTICAS
El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.

La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado.

El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
FUNCIONAMIENTO DEL GTO
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Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en el gate, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor control.
La ganancia se calcula con la siguiente formula.
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Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser lo mayor posible, para ello debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor posible):

·alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catódica) este muy dopado. Estas condiciones también son normales en los SCRs.
·alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. 
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO
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FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO
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Para entrar en conducción, se necesita una subida rápida y valor IGM suficientes para poner en conducción todo el cristal. Si solo entra en conducción una parte y circula toda la corriente se puede dañar. Si solo entra en conducción bajara una parte de la tensión ánodo-cátodo y el resto de celdillas que forma el cristal no podrán entrar en conducción.
Cuando se ha establecido la conducción se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontáneamente (tiene menos ganancia que el SCR). 
FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO
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Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10.
Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conducción espontáneamente. 
APLICACIONES
Como el GTO tiene una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, éste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son preferibles. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las estrategias de conmutación que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de potencia.
a nivel industrial algunos usos son:
troceadores y convertidores.
Control de motores asíncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Tracción eléctrica.
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Tiristores de Desactivación por compuerta gto


Entre las mejoras más recientes que se le han hecho al tiristor está el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prácticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los años setenta. Estos dispositivos se han vuelto más y más comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.


 Símbolo del GTO.
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR común. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o más. Para apagarlos se necesita una gran pulsación de corriente negativa de entre 20 y 30m s de duración. La magnitud de la pulsación de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

MOSFET





MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la
industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los procesadores comerciales están 
basados en transistores MOSFET.
Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.


Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P.


HISTORIA

Fue ideado teóricamente por el austrohúngaro Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, 
aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca 
de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se 
pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de 
dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado 
y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es 
algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio.

FUNCIONAMIENTO



Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, 
mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas 
por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de 
conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de 
cómo se haya realizado el dopaje:
  • Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
  • Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre 
ellos es la puerta(gate).
Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n

Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de deplexión canal n.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte

Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de 
no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. También se llama mosfet a 
los aislados por juntura de dos componentes.

[editar]Conducción lineal

Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una 
región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo 
suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la 
región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a 
estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará 
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión
de puerta.

[editar]Saturación

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la 
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente 
entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico entre ambos, 
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

[editar]Modelos matemáticos

  • Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su región lineal:
I_{D (Act)} = K [(V_{GS} - V_T)V_{DS} - \frac{V_{DS}^2}{2} ]
donde K = \frac{b\mu_n\epsilon}{LW}en la que b es el ancho del canal, μn la movilidad de los electrones, \epsilon 
es la permitividad eléctrica de la capa de óxido, L la longitud del canal y W el espesor de 
capa de óxido.
  • Cuando el transistor opera en la región de saturación, la fórmula pasa a ser la siguiente:
I_{D (Sat)} = \frac{K + 1}{K_0}(V_{GS}-V_{T})^2
Estas fórmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, 
pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como por ejemplo:
  • Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador 
  • no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
  • Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión 
  • umbral que da lugar al canal de conducción
  • Modulación de longitud de canal.

APLICACIONES: 

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, 
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. 
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
  • Resistencia controlada por tensión.
  • Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
  • Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.



Ventajas

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, 
p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores 
bipolares:
  • Consumo en modo estático muy bajo.
  • Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media 
  • micra).
  • Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
  • Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen 
  • una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta
  • es del orden de los nanoamperios.
  • Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, 
  • con el ahorro alta frecuencias y baja potencia.

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domingo, 4 de diciembre de 2011

DIAC

      DEFINICIÓN.

El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo.



Figura 1: Símbolo del DIAC.


      ESTRUCTURA.


Figura 2 : Estructura  básica del DIAC.


CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.
           Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.
           La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC, produciéndose a través de él la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensión media aplicada a la carga, obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia.
            
              Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC.





El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conducción se da cuando se ha superado el valor de tension del zener que está conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de fuga. La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza.
Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC.
Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase.uaciónCurva característica del DIAC - Electrónica Unicrom
En la curva característica se observa que cuando

- +V o - V es menor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto

- +V o - V es mayor que la tensión de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito


Sus principales características son:

- Tensión de disparo
- Corriente de disparo
- Tensión de simetría 
- Tensión de recuperación
- Disipación de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)


TRIAC

 DEFINICIÓN.

 El TRIAC  (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.



                                 Figura 1: Símbolo del TRIAC.

 En la Figura 1 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de 
un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por 
Terminal Principal 2 (T2) y Terminal Principal 1 (T1) respectivamente.


 ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura  básica del TRIAC.

La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque funciona 
siempre como un tiristor de cuatro capas.  En sentido T2-T1 conduce a través de 
P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a través de P2N1P1N4.  La capa N3 facilita el disparo 
con intensidad de puerta negativa.  La complicación de su estructura lo hace más
delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre
intensidades.  Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos   200 (A)
eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensión de pico repetitivo.  Los TRIAC son
fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias
medias son denominados alternistores.

El TRIAC actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Figura 
3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"( transistores conectados con 
realimentación positiva, donde la señal de retorno aumenta el efecto de la señal de 
entrada).


Figura 3.

La diferencia más importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el 
de dos tiristores es que en este último caso cada uno de los dispositivos conducirá 
durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloqueándose cuando la corriente 
cambia de polaridad, dando como resultado una conducción completa de la corriente 
alterna. El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente 
de carga pasa por el valor cero, hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre 
T2 y T1, para volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitación de la puerta sea 
la adecuada. Esto implica la perdida de un pequeño ángulo de conducción, que en el 
caso de cargas resistivas, en las que la corriente esta en fase con la tensión, no supone 
ningún problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el diseño 
del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide con la 
misma situación de la tensión aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos 
de tensión entre los dos terminales del componente.

MÉTODOS DE DISPARO.


Como hemos dicho, el TRIAC posee dos ánodos denominados ( MT1 y MT2) y una
compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2, se miden con 
respecto al ánodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la 
aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. 
Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. 
Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos 
posibles de disparo.
1.    El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensión 
del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y 
este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unión P2N2 y 
en parte a través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a
P2, que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que
produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. Esta caída de tensión se
simboliza en la figura por signos + y -. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella
iniciándose la conducción. 



               2.    El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la 
               tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto 
               al ánodo MT1(Intensidad de compuerta saliente).
              Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4.                                                                                                                      
              La capa   N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. La
              tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1 más positivamente 
              que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan                                      
              en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.



3.   El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensión 
del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la 
compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2El disparo de la primera
se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. Toda la 
estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión 
P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la 
estructura principal, que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la 
vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conducción.


 4.   El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la
tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1, y la tensión de disparo de 
la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en 
conducción la estructura P2N1P1N4.
La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por 
difusión la unión P2N1 son absorbido por su potencial de unión, haciéndose más 
conductora. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión 
P2N1 próxima a ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde 
P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y 
se produce la entrada en conducción.





            Existe un gran número de posibilidades para realizar en la práctica el disparo del 
            TRIAC, pudiéndose elegir aquella que más resulte adecuada para la aplicación
           concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes básicas:
          
           Disparo por corriente continua,
  1. Disparo por corriente alterna.                         
              DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
            En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua aplicada
            al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Es necesario                   
            disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado de la                  
           función de control, que puede ser un simple interruptor mecánico o un transistor                   
           trabajando en conmutación.
           Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos  
           alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a 
           partir de una determinada señal de excitación, que generalmente se origina en un 
           transductor de cualquier tipo.
             
         DISPARO POR CORRIENTE  ALTERNA.
            El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un
            transformador que suministre la tensión de disparo, o bien directamente a partir de la                 
            propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta  
            adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el 
           momento preciso.


           CARACTERÍSTICAS GENERALES  Y APLICACIONES.
           La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hace ideal para una amplia
           variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. Una de ellas 
           es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los         
           interruptores mecánicos convencionales, que requieren siempre el movimiento de un 
           contacto, siendo la principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC
           siempre se dispara cada medio ciclo cuando la corriente pasa por cero, con lo que se 
           evitan los arcos y sobre tensiones derivadas de la conmutación de cargas inductivas que     
           almacenan una determinada energía durante su funcionamiento.


            Resumiendo, algunas características de los TRIACS:
           - El TRIAC conmuta del modo de corte al modo de conducción cuando se inyecta   
            corriente a la compuerta. Después del disparo la compuerta no posee control sobre el 
            estado del TRIAC. Para apagar el TRIAC la corriente anódica debe reducirse por 
            debajo del valor de la corriente de retención Ih.
            - La corriente y la tensión de encendido disminuyen con el aumento de temperatura y                         
           con el aumento de la tensión de bloqueo.
            - La aplicación de los TRIACS, a diferencia de los Tiristores, se encuentra  básicamente                   
           en corriente alterna. Su curva característica refleja un funcionamiento muy parecido al del  
           tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes. Esto es debido a                  
           su bidireccionalidad.
           - La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de potencia entregada a una        
           carga, en corriente alterna.